Сенсація

Створили найменший в світі осередок пам’яті

Традиційно масив пам’яті SRAM в складі процесорів займає пристойну площу (як правило, для кеш-пам’яті перших трьох рівнів).

Його складно зменшити, оскільки кожна клітинка SRAM містить до шести транзисторів, повідомляє «3Dnews».

Пам’ять SRAM повинна бути максимально продуктивною і тому спирається на логіку, а не на заряд в конденсаторі, як звичайна пам’ять DRAM. Все це створює проблеми з масштабуванням осередку SRAM при переході на більш дрібні технологічні норми виробництва. Нові техпроцеси завжди починають відчувати з випуску масивів SRAM. Якщо це виходить, то потім переходять до досвідченого випуску процесорної логіки.

На сьогодні найменшим осередком SRAM могла похвалитися Samsung. За цим параметром вона обігнала компанію Intel. Samsung представила 6-транзисторний осередок SRAM площею 0,026 мкм. Для випуску 256-Мбіт масиву дослідної пам’яті був використаний 7-нм техпроцес Samsung 7LPP з частковим використанням EUV-сканерів. Через кілька місяців цей техпроцес буде запущений в комерційних масштабах.

Unisantis і Imec створили 6-транзистрну структуру осередку SRAM площею не більше 0,0205 мкм. Для цього розробники відмовилися від горизонтальних транзисторних структур типу FinFET (вертикальні ребра каналів, оточені затворами з трьох сторін) і створили вертикальні транзисторні канали у вигляді колон, повністю оточені затворами (SGT, Surrounding Gate Transistor). Це один з різновидів кільцевих або охоплюючих затворів GAA (Gate-All-Around). Samsung почне використовувати подібні затвори в 2021 році при переході на 3-нм техпроцес.

Центр Imec і Unisantis розробили технологію SGT для випуску SRAM з техпроцесом 5 нм. Партнери пропонують почати ущільнювати SRAM вже через рік або два.

Єдиним недоліком SGT структур може вважатися їх недостатня продуктивність для використання в логічних елементах (по струмовим характеристикам SGT приблизно втричі гірше FinFET). Але це не заважає SGT структурам ідеально підходити для виробництва DRAM, SRAM і NAND.

Джерело: comments.ua

Підпишіться на групу «СВІДОК» у Facebook

Загрузка...